Утверждена спецификация UFS 4.0. Приготовьтесь к адски быстрой памяти в смартфонах!

0
282
views

Ассоциация полупроводниковых технологий JEDEC объявила об утверждении спецификации UFS 4.0 — теперь это официальный стандарт памяти, который скоро появится в флагманских смартфонах и повысит их производительность.

Насколько UFS 4.0 улучшит наши девайсы?

Компания JEDEC, мировой лидер в разработке стандартов для микроэлектроники, утвердила технические спецификации Universal Flash Storage 4.0 (JESD220F) и UFSHCI 4.0 (JESD223E). Новый стандарт памяти UFS 4.0 сильно отличается от используемого в настоящее время UFS 3.1.

Самым важным изменением по сравнению с текущим стандартом является существенное увеличение максимальной скорости записи и чтения данных. Скорость последовательного чтения достигает 4,2 Гбайт/с — значительный прирост по сравнению с 2,9 Гбайт/с в UFS 3.1. Последовательная запись — до 2,8 ГБ/с.

Кроме того, UFS 4.0 поддерживает передачу до 23,2 Гбит/с на линию — двукратный прирост относительно UFS 3.1. Внедрение столь высоких скоростей чтения и записи данных значительно сократит время загрузки приложений и игр, а также повысит энергоэффективность устройств.

Скорость это еще не все

Хорошая новость заключается еще и в том, что значительный прирост скорости идет рука об руку со снижением напряжения питания нового интерфейса памяти. В UFS 4.0 оно снижено до 2.5 В по сравнению с 3.3 В в UFS 3.1 Благодаря этому память не будет так сильно нагреваться, что приведет к лучшему времени работы смартфона на одном заряде.

В то же время USF 4.0 будет обратно совместимым с UFS 3.1 и 3.0, что позволит использовать смешанные конфигурации памяти в смартфонах. Samsung уже сообщила, что их модуль памяти нового стандарта будет иметь размеры 11x13x1 мм и различную емкость — до 1 ТБ.

Samsung обещает, что первые модули памяти USF 4.0 поступят в серийное производство уже этой осенью. В каких устройствах мы можем их ожидать? Для начала, скорее всего, в грядущей серии Galaxy S23.

ПОДЕЛИТЬСЯ

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here